Valence band hybridization in<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">N</mml:mi></mml:mrow></mml:math>-rich<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">GaN</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">As</mml:mi></mml:mrow><mml:mi>x</mml:mi></mml:msub></mml:mrow></mml:math>alloysJunqiao Wu, T. F. Kuech, W. Walukiewicz et al.|Physical Review B|2004Cited by 94
Effects of hydrogen implantation damage on the performance of InP/InGaAs/InP p-i-n photodiodes transferred on siliconPeng Chen, S. S. Lau, Kei May Lau et al.|Applied Physics Letters|2009Cited by 11