Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide

K. V. Emtsev; Aaron Bostwick; K. Horn; Johannes Jobst; G. L. Kellogg; L. Ley; J. L. McChesney; Taisuke Ohta; Sergey A. Reshanov; Jonas Röhrl; Eli Rotenberg; Andreas K. Schmid; Daniel Waldmann; Heiko B. Weber; Thomas Seyller

doi:10.1038/nmat2382

Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide

K. V. Emtsev(Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg), Aaron Bostwick(Lawrence Berkeley National Laboratory), K. Horn(Fritz Haber Institute of the Max Planck Society), Johannes Jobst(Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg), G. L. Kellogg(Sandia National Laboratories California), L. Ley(Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg), J. L. McChesney(Lawrence Berkeley National Laboratory), Taisuke Ohta(Sandia National Laboratories California), Sergey A. Reshanov(Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg), Jonas Röhrl(Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg), Eli Rotenberg(Lawrence Berkeley National Laboratory), Andreas K. Schmid(Lawrence Berkeley National Laboratory), Daniel Waldmann(Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg), Heiko B. Weber(Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg), Thomas Seyller(Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg)

Nature Materials

February 8, 2009

10.1038/nmat2382

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