SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築伸一郎 黒木, Ohshima Takeshi, Makino Takahiro et al.|Institutional Repositories DataBase (IRDB)|2022Cited by 0
シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究伸一郎 黒木, Ohshima Takeshi, 拓真 志摩 et al.|Institutional Repositories DataBase (IRDB)|2022Cited by 0
Gamma-ray irradiation effects on 4H-SiC n/p MOSFETs with POA treatmentTaisei Ozaki, Shin-Ichiro Kuroki, Takeshi Ohshima et al.|Institutional Repositories DataBase (IRDB)|0Cited by 0